太陽(yáng)光模擬器測(cè)試非晶硅薄膜需要注意的地方

　　非晶硅太陽(yáng)光模擬器電性能測(cè)試方法從原則到具體程序都和單晶硅、多晶硅太陽(yáng)光模擬器電性能測(cè)試相同，但必須注意以下幾點(diǎn)區(qū)別，否則可能導(dǎo)致嚴(yán)重的測(cè)量誤差。

　　一、校準(zhǔn)輻照度：應(yīng)選用恰當(dāng)?shù)?、專用于非晶硅太?yáng)光模擬器測(cè)試的非晶硅標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)光模擬器來(lái)校準(zhǔn)輻照度。如果采用單晶硅或者多晶硅太陽(yáng)光模擬器作為標(biāo)準(zhǔn)來(lái)校準(zhǔn)輻照度，將會(huì)得到毫無(wú)意義的測(cè)試結(jié)果。當(dāng)然，按照光譜失配的理論，如果所選的用的測(cè)試光源十分理想，那么，即使用單晶硅標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)光模擬器校準(zhǔn)輻照度也能獲得正確的結(jié)果，當(dāng)然，這個(gè)在一般生產(chǎn)或者實(shí)驗(yàn)室是很難做到的。

　　二、光源：用于非晶硅太陽(yáng)光模擬器電性能測(cè)試的太陽(yáng)光模擬器的光源應(yīng)盡可能選用在300納米到800納米波長(zhǎng)范圍內(nèi)，光譜特性非常接近AM1.5太陽(yáng)光譜。

　　三、光譜響應(yīng)：太陽(yáng)光模擬器的光譜響應(yīng)就是當(dāng)某一波長(zhǎng)的光照射在電池表面上時(shí)，每一光子平均所能收集到的載流子數(shù)。由于用不同材料和工藝制造的太陽(yáng)光模擬器的光譜響應(yīng)差異很大，同時(shí)考慮電池的光譜響應(yīng)和光源的光譜分布這兩個(gè)因素就能夠得到更好的測(cè)量結(jié)果；更進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，多結(jié)薄膜電池中各結(jié)的電流匹配也需要對(duì)每結(jié)的光譜響應(yīng)做出精確的測(cè)量。非晶硅太陽(yáng)光模擬器的光譜響應(yīng)特性與所加偏置光及偏置電壓有關(guān)，在非標(biāo)準(zhǔn)條件下進(jìn)行測(cè)試和換算時(shí)應(yīng)注意相關(guān)條件。

　　非晶硅的光譜響應(yīng)波長(zhǎng)范圍為400納米到800納米，而單晶硅光譜響應(yīng)波長(zhǎng)范圍為400納米到1100納米。由于模擬器用氙燈光源的光譜在800nm到1100nm的紅外區(qū)段的光譜比標(biāo)準(zhǔn)的AM1.5的光譜更為豐富。采用單晶硅標(biāo)準(zhǔn)件標(biāo)定太陽(yáng)光模擬器來(lái)測(cè)非晶硅太陽(yáng)光模擬器，在800納米到1100納米波段對(duì)非晶硅太陽(yáng)光模擬器電流沒(méi)有任何貢獻(xiàn)，但對(duì)單晶硅太陽(yáng)光模擬器的電流有著非常大的貢獻(xiàn)，這就會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重的失配，導(dǎo)致非晶硅太陽(yáng)光模擬器的電流大幅度被壓低，引起嚴(yán)重的測(cè)量誤差。